Samsung destina más de la mitad de su capacidad de 4 nm a chips base HBM4

La división de fundición de Samsung Electronics ha superado el 50% en la proporción de chips base para la sexta generación de memoria de alto ancho de banda HBM4 producidos con tecnología de 4 nm. En la segunda mitad de este año, la división destinará más de la mitad de sus obleas de 4 nm a la fabricación de chips base HBM4, en un esfuerzo por aumentar el suministro a empresas como NVIDIA, Broadcom y AMD. Samsung inició la producción en masa de HBM4 en febrero de este año y planea aumentar el volumen de suministro a partir del tercer trimestre, incrementando significativamente la inversión en obleas relacionadas desde mediados de año. Estos chips se basan en el proceso de 4 nm (SF4) de fundición de Samsung. Hasta el mes pasado, más del 50% de toda su capacidad de 4 nm ya se había asignado a chips base HBM4. Fuentes informadas indican que Samsung está operando a plena capacidad en 4 nm, con una proporción de chips base HBM4 que oscila entre el 50% y el 60%, y se espera que esta alta proporción se mantenga en la segunda mitad del año. Samsung produce obleas de 4 a 7 nm en sus líneas de fundición en las fábricas Pyeongtaek 2 y 3, con una capacidad de 4 nm de aproximadamente 30,000 obleas al mes, lo que estima que la inversión en obleas relacionadas con HBM4 es de aproximadamente 15,000 obleas al mes. En la conferencia de resultados del segundo trimestre, Samsung indicó que espera que los ingresos de HBM4 en el tercer trimestre se tripliquen en comparación con el trimestre anterior, y que los ingresos de HBM4 en la segunda mitad del año superen el 60% de los ingresos totales de HBM de la compañía.

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