SK Hynix พัฒนา 3D DRAM โดยใช้กระบวนการผลิตจากผู้ผลิตภายนอก

SK Hynix ประกาศเมื่อวันที่ 9 ว่าการพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์ 3D DRAM รุ่นถัดไปสามารถใช้กระบวนการผลิตจากผู้ผลิตภายนอกได้ ในงานฟอรัมอนาคต SK Hynix 2026 ที่จัดขึ้นที่ศูนย์ Supex ในสวนอุตสาหกรรม Icheon รองประธาน Kim Kyung-hoon และ Son Ho-young ได้นำเสนอทิศทางหลักของเทคโนโลยี 3D DRAM ซึ่งรวมถึงการใช้กระบวนการผลิตจากผู้ผลิตภายนอกสำหรับวงจรภายนอก DRAM การเพิ่มความกว้างแบนด์วิดท์ของข้อมูลสูงสุด และการส่งข้อมูลในระยะทางสั้น ๆ 3D DRAM เป็น DRAM รุ่นถัดไปที่มีการซ้อนเซลล์เก็บข้อมูลในแนวตั้งเพื่อเพิ่มความหนาแน่น การทำให้เทคโนโลยีนี้เป็นจริงต้องแก้ไขปัญหาในด้านการออกแบบ การเกิดความร้อน การเชื่อมต่อขนาดเล็ก การเชื่อม และการรวมกระบวนการผลิต ในขณะที่ขอบเขตระหว่างการบรรจุและการผลิต รวมถึงเทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลใกล้เข้ามา การปรับปรุงร่วมกันที่เกินขอบเขตที่มีอยู่จะมีความสำคัญมากขึ้น Son Ho-young กล่าวว่า เทคโนโลยี 3D กำลังเปลี่ยนขอบเขตทางเทคนิคระหว่างโรงงานผลิตและการบรรจุ และจำเป็นต้องสร้างระบบความร่วมมือใหม่ร่วมกับนวัตกรรมเทคโนโลยีการบรรจุขั้นสูง ศาสตราจารย์ Shin Chang-hwan จากมหาวิทยาลัยโกรีกล่าวว่า 3D DRAM ทำลายขอบเขตระหว่างหน่วยความจำและตรรกะ และเมื่ออุปกรณ์มีขนาดเล็กลงใกล้ถึงขีดจำกัด การเปลี่ยนไปใช้เทคโนโลยี 3D เป็นสิ่งที่หลีกเลี่ยงไม่ได้ และเขาเสนอให้ใช้กรอบการออกแบบรวม 3D ที่เชื่อมโยงวัสดุ อุปกรณ์ การบรรจุ และสถาปัตยกรรมด้วยปัญญาประดิษฐ์ ประธาน SK Hynix Guo Lu กล่าวว่า ตลาดหน่วยความจำได้เปลี่ยนจากถนนตรงไปเป็นโค้งที่เปลี่ยนแปลง ต้องปรับตัวให้ยืดหยุ่นต่อการเปลี่ยนแปลงของสภาพแวดล้อมภายนอก

เนื้อหานี้จัดทำขึ้นเพื่อวัตถุประสงค์ด้านการให้ข้อมูลทั่วไปเท่านั้น และไม่ถือเป็นคำแนะนำด้านการเงิน การลงทุน กฎหมาย หรือภาษี อีเวนต์ รีวอร์ด โปรโมชันออนไลน์ หรือข้อมูลที่เกี่ยวข้องใดๆ ที่กล่าวถึงในที่นี้ ไม่ควรถือเป็นคำแนะนำ การชักชวน หรือคำเชิญชวนให้ซื้อ ขาย เทรด หรือดำเนินการอื่นใดเกี่ยวกับสินทรัพย์คริปโต สินทรัพย์คริปโตมีความผันผวนสูงและอาจส่งผลให้เกิดการขาดทุน ความพร้อมให้บริการของบริการ ผลิตภัณฑ์ และอีเวนต์ที่เกี่ยวข้องของ WEEX อาจแตกต่างกันไปตามภูมิภาค คุณมีหน้าที่ตรวจสอบให้แน่ใจว่าการเข้าร่วมของคุณเป็นไปตามกฎหมายและข้อบังคับท้องถิ่นที่ใช้บังคับ