Groq、次世代チップに3DスタッキングDRAMを導入

AIチップ企業のGroqは、次世代チップにDRAMの3Dスタッキングパッケージを導入し、速度は速いが容量が小さいSRAMソリューションに代わることを進めています。Groqは、元Google TPUデザイナーのジョナサン・ロスによって2016年に設立され、昨年NVIDIAに間接的に買収されました。Groqが評価しているソリューションは3DSで、シリコンビアを通じてDRAMチップを垂直に接続し、高容量のパッケージを提供します。3Dパッケージは、複数の裸チップを垂直に積み重ねて1つのチップとして機能させ、平面ソリューションに比べて面積を縮小し、電力効率を向上させます。3DSとHBMはどちらもシリコンビアを使用していますが、HBMは伝送速度に重点を置き、3DSは既存のDRAMインターフェースを維持し、容量の拡張に焦点を当てています。業界関係者によると、Groqは次世代チップに3Dパッケージを採用する計画で、スタッキングされるのはSRAMではなくDRAMであり、市場の需要がより大容量のチップにシフトしているため、Groqは容量で優位性のあるDRAMを選択したとのことです。

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