長鑫開始小批量生產 HBM3E，計劃2027年擴大產量

長鑫儲存已開始小批量生產 HBM3E，並計劃在 2027 年擴大產量。HBM 是用於 AI 晶片的高速記憶體，負責快速數據傳輸。HBM2 及以上產品一直是國產 AI 晶片的短板。寒武紀和阿里平頭哥等國內晶片團隊正在測試長鑫的 HBM，若進展順利，最快明年將應用於產品。HBM3E 是英偉達 H200 和 Blackwell 使用的記憶體，長鑫目前僅比 SK 海力士、三星和美光的 HBM4 落後一代。儘管已開始小批量生產，長鑫的 HBM3E 仍面臨良率偏低、速度和可靠性不足的問題。SK 海力士早在 2024 年已開始量產 HBM3E，三大廠已進入 HBM4 階段並開始送樣 HBM4E。長鑫跨過了“能否生產”的關卡，接下來需提升良率和產量。

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