Samsung Electronics prévoit que HBM représentera près de 30 % de la capacité de production de wafers DRAM l'année prochaine

Le vice-président exécutif de Samsung Electronics, Kim Taewoo, a prévu que l'année prochaine, HBM représentera près de 30 % de la capacité totale de production de wafers des fabricants de DRAM, contre environ 20 % actuellement. Il a souligné que HBM et le DRAM traditionnel se disputent la même capacité de production de wafers, et l'augmentation de la production de HBM pourrait réduire l'approvisionnement en DRAM traditionnel. TrendForce prévoit qu'à la fin de 2027, les trois principaux fournisseurs mondiaux de HBM investiront 30 % de leur capacité de wafers dans HBM, mais en termes de capacité de stockage, cela ne contribuera qu'à environ 13 % de l'approvisionnement total en DRAM. Samsung a commencé la production en série de HBM4 en février de cette année et a fourni des échantillons de HBM4E de 12 couches à des clients, dont Nvidia, en mai. On s'attend à ce que la quantité mensuelle de wafers HBM de Samsung passe d'environ 180 000 cette année à environ 250 000 l'année prochaine. TrendForce a également déclaré le même jour que la demande de serveurs AI continue, et que HBM et le DRAM général partageront une capacité de processus avancée limitée. En 2027, l'approvisionnement en mémoire restera tendu, et les prévisions de prix pour HBM en 2027 ont été révisées à la hausse, avec une augmentation prévue du prix moyen mixte de 121 % par rapport à l'année précédente. En raison de l'approvisionnement limité et de l'augmentation des coûts des systèmes, il est prévu que le HBM de 8 couches devienne une solution prioritaire pour plusieurs fabricants en 2027, avec un prix par Gb supérieur d'environ 10 % à 20 % à celui des produits de 12 couches.

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