三星開發8層 HBM4E 滿足英偉達要求

三星電子正在開發8層 HBM4E 產品，以滿足英偉達的要求，擬用於定制高帶寬存儲器 NVHBM。該方案較原先準備的12層和16層產品減少堆疊層數，英偉達目標速度為17至18Gbps，較早期樣品的14.4Gbps提高約20%。採用8層設計可降低晶圓減薄、精密堆疊及後端封裝難度，減輕良率壓力並提高供應能力。NVHBM 預計將從明年推出的 Rubin Ultra AI GPU 開始應用，Rubin Ultra 的 GPU 互連規模將由現有72顆擴大至最多576顆，以更多高速 GPU 協同彌補單顆 GPU 存儲容量下降。三星具備 DRAM、邏輯芯片及基礎裸片的設計和生產能力，可為定制 HBM 提供一站式服務。業內人士認為，三星在 HBM4 上展示了較高傳輸速度，隨著英偉達將競爭重點轉向高速傳輸，其相關能力可能獲得更多關注。

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