南韓記憶體晶片製造商 SK Hynix Inc. 宣布了一項價值 54 兆韓元(約 380 億美元)的擴產計劃。這項投資旨在將產品產量翻倍,並克服全球記憶體晶片的短缺。公司將在龍仁建設一座新的 DRAM 隨機存取記憶體工廠,並在清州建立一座 NAND 閃存製造廠。新的龍仁 Y2 工廠將是計劃在龍仁半導體集群內建設的四個設施中的第二個。建設將於明年七月開始,首個高帶寬記憶體 (HBM) 和其他下一代 DRAM 的潔淨室預計將於 2029 年六月啟用。清州 M17 工廠的擴建將於二月啟動,並計劃在 2028 年底啟用潔淨室。整體投資期預計持續到 2031 年四月。南韓計劃在五年內將國內記憶體產能翻倍。SK Hynix 的股票在首爾證券交易所下跌了 4.9%,但在第三季度有關新資本回報計劃的消息後,部分回升。此外,公司還將在 2026 年的資本支出中投資 310 億美元,這比去年增加了 50%。
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