Wistron NeWeb ha adelantado la planificación de la expansión de su planta en Kaohsiung, fusionando las fases dos y tres para desarrollar simultáneamente el Módulo B. Se espera que la construcción de la sala limpia comience en 2027, con la instalación de equipos prevista para principios de 2029, según la demanda de los clientes y la introducción gradual de equipos según el LTA. Actualmente, ya hay clientes que están negociando anticipadamente la capacidad para 2029 y 2030. En el tercer trimestre, la demanda de DRAM de nicho y SLC NAND de Wistron NeWeb superó la oferta, con un aumento de precios estimado en un 50% en comparación con el trimestre anterior; NOR Flash se benefició de los pedidos anticipados de grandes clientes de servicios en la nube, con un aumento de precios estimado en un 30%. Se estima que el aumento de precios de los memorias en el cuarto trimestre se contraerá entre un 2% y un 5%, pero gracias al aumento de la capacidad de DRAM y el crecimiento de los envíos, los ingresos y las ganancias aún pueden mantener un crecimiento trimestral. En el segundo trimestre, los ingresos consolidados de Wistron NeWeb alcanzaron 59,843 millones de NTD, un aumento del 56.4% en comparación con el trimestre anterior y un aumento del 184.7% en comparación con el año anterior. Los precios de DRAM aumentaron aproximadamente un 100% en comparación con el trimestre anterior, y Flash aumentó aproximadamente un 43%, con un margen de beneficio bruto consolidado que subió al 66.2%, y una utilidad neta por acción después de impuestos de 5.40 NTD. La planificación de productos del Módulo B incluye DRAM estándar, DRAM CUBE, Wafer-on-Wafer (WoW) y capacitores de silicio (Si-Cap), que apoyarán los procesos de DRAM de 14 nanómetros y, en el futuro, de 12 nanómetros, y también se planea la introducción de equipos EUV.
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