SK Hynix y SanDisk presentan el primer estándar de flash de alta capacidad de 512 GB

SK Hynix y SanDisk han presentado el primer estándar de flash de alta capacidad (HBF) de hasta 512 GB. Este anuncio se realizó en el evento Future of Memory and Storage 2026 (FMS), que se lleva a cabo del 5 al 7 de este mes en California, EE. UU. HBF es una capa de memoria basada en NAND que se sitúa entre la memoria de alto ancho de banda (HBM) y las unidades de estado sólido (SSD), combinando la rápida estructura de transferencia de datos de HBM con la escalabilidad de capacidad de NAND. El primer estándar define una capacidad máxima de 512 GB apilando chips NAND en configuraciones de 8 y 16 capas, y soporta un ancho de banda que va de 0.4 TB/s a 3.0 TB/s. Se ha adoptado UCIe como método de conexión entre HBF y los procesadores, y este estándar incluye especificaciones sobre la interfaz de conexión, características eléctricas, fiabilidad del proceso de apilamiento de chips HBF y directrices de uso de software. Google y Tenstorrent también han participado en el trabajo de estandarización, y se espera que HBF se aplique en sistemas de inferencia de IA y en el diseño de aceleradores. SK Hynix ha presentado su oblea NAND 4D de 375 capas de décima generación, afirmando que el rendimiento en relación con el consumo de energía ha mejorado en un 2.5 veces. Aún no se han adoptado productos comerciales de HBF, y su papel parece depender de las elecciones de diseño de los operadores de centros de datos en el futuro.

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