Primeiro ETF de armazenamento nos EUA inclui a Changxin Technology

O primeiro ETF de armazenamento puro nos EUA, o DRAM Memory ETF, incluiu a Changxin Technology. Este ETF foi estabelecido em 2 de abril de 2026, com um tamanho de 24,55 bilhões de dólares, e a taxa de retorno chegou a 190% em um determinado momento, atualmente a taxa de retorno é de 161,5%. Samsung, Micron e SK Hynix têm um peso combinado de mais de 73%, enquanto a Changxin Technology tem um peso de 2,52%. Desde que a Changxin Technology foi listada no STAR Market, seu valor de mercado ainda está acima de 300 bilhões de yuans, tendo ultrapassado temporariamente 400 bilhões de yuans, e na próxima segunda-feira, as restrições de flutuação de preço serão removidas, entrando na fase de negociação regular.

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