三星与ASML合作开发高 NA EUV光刻技术

三星电子将与ASML共同开发高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术，计划自2028年起将高 NA EUV设备应用于DRAM生产，并扩展至1.4纳米先进逻辑工艺。此次合作旨在将自20世纪80年代以来使用的6英寸光掩模版转向12英寸版本，以推动行业标准转变。高 NA EUV的数值孔径比传统EUV高66%，能够形成更加精细的电路图案，替换掩模版将提高晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。

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