SK 海力士 3D DRAM 开发可利用代工工艺

SK 海力士 9 日表示，下一代存储器 3D DRAM 半导体开发可利用代工工艺。在利川园区 Supex 中心举行的 2026 SK 海力士未来论坛上，副社长金庆勋、孙浩英提出 3D DRAM 主要技术方向，包括 DRAM 外围电路采用逻辑代工工艺、最大化数据总线带宽、超短距离传输等。3D DRAM 是将存储单元垂直堆叠以提高集成度的下一代 DRAM。实现该技术需解决设计、发热、微细互连、键合、工艺整合等封装领域难题。随着前道与后道封装、代工与存储器技术边界趋近，超越既有领域的共同优化将更重要。孙浩英称，3D 技术正在改变晶圆厂与封装的技术边界，需与先进封装技术创新一起，建立新协作体系。高丽大学教授申昌焕表示，3D DRAM 打破存储器与逻辑边界，随着器件微细化接近极限，转向 3D 技术不可避免，并提议以人工智能联动材料、器件、封装、架构四领域的 3D 集成设计框架。SK 海力士社长郭鲁称，存储器市场已从直线道路转变为变化的弯道，需灵活适应外部环境变化。

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