TSMC réalise des transistors 2D CPP de 50 nm

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) et ASML, en collaboration avec imec, ont réussi à mettre en œuvre des transistors 2D à pitch de polycontact (CPP) de 50 nm sur des wafers de 300 mm. Le taux de fonctionnement normal des transistors s'est élevé à 94 %. imec a annoncé l'intégration de nFET en disulfure de molybdène et de pFET en disulfure de tungstène sur des wafers de 300 mm. Sankar Kar, vice-président d'imec, a déclaré qu'ils avaient atteint le CPP de 50 nm sans compromettre les performances des nFET et pFET 2D. Min-Chao, CTO de TSMC, a indiqué que l'accent avait été mis sur l'accélération de la transition des installations de recherche vers la production. ASML a expliqué que sa technologie de lithographie par rayons ultraviolets extrêmes (EUV) avait permis de réduire la longueur de canal à 28 nm. Les matériaux 2D, étant extrêmement fins à l'échelle des couches atomiques, sont favorables au contrôle du courant, mais présentent également des problèmes de défauts d'interface et de courant de fuite. L'équipe de recherche a formé une couche d'oxyde d'aluminium d'environ 0,3 nm d'épaisseur sur la surface du disulfure de molybdène, enregistrant un EOT d'environ 1 nm et une transconductance de pointe de 0,45 mS/μm dans un transistor à effet de champ à couche unique de disulfure de molybdène avec une longueur de canal de 100 nm. Cette recherche valide les technologies de fabrication de semiconducteurs de prochaine génération, et pour que les transistors en matériaux 2D passent à la production de masse, il est nécessaire de vérifier le rendement, la fiabilité, la stabilité à long terme et le coût des processus.

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