TSMC، پیاده‌سازی ترانزیستور 2D CPP 50 نانومتری

شرکت تایوانی TSMC و ASML و imec ترانزیستورهای دو بعدی (2D) با فاصله پلی تماس (CPP) 50 نانومتری را بر روی ویفرهای 300 میلی‌متری پیاده‌سازی کردند. نسبت ترانزیستورهای عملکردی که به درستی کار کردند، 94% گزارش شده است. imec اعلام کرد که nFET و pFET از دی‌سولفید مولیبدن را بر روی ویفر 300 میلی‌متری ادغام کرده است. سانکار کار، معاون imec، گفت که آنها توانسته‌اند CPP 50 نانومتری را بدون آسیب به عملکرد nFET و pFET دو بعدی به دست آورند. مین چائو، CTO TSMC، اعلام کرد که تمرکز همکاری بر افزایش سرعت انتقال از آزمایشگاه به تأسیسات تولید بوده است. ASML توضیح داد که با استفاده از فناوری لیتوگرافی فرابنفش فوق‌العاده (EUV) طول کانال را به 28 نانومتر کاهش داده است. مواد 2D به دلیل نازکی در سطح اتمی، برای کنترل جریان مناسب هستند، اما همچنین مشکلاتی مانند نقص‌های سطحی و جریان نشتی را به همراه دارند. محققان با قرار دادن آلومینیوم به ضخامت حدود 0.3 نانومتر بر روی سطح دی‌سولفید مولیبدن، لایه سطحی اکسید آلومینیوم را تشکیل دادند و در ترانزیستور اثر میدان دی‌سولفید مولیبدن با طول کانال 100 نانومتر، EOT حدود 1 نانومتر و حداکثر ترانسکانداکتانس 0.45mS/μm را ثبت کردند. این تحقیق نتیجه‌ای از تأیید فناوری‌های تولید نیمه‌هادی نسل بعدی است و برای اینکه ترانزیستورهای مواد 2D به فرآیند تولید انبوه منتقل شوند، باید بازده، قابلیت اطمینان، ثبات بلندمدت و هزینه‌های فرآیند تأیید شوند.

این محتوا صرفاً برای اطلاع‌رسانی عمومی ارائه شده است و به‌منزله مشاوره مالی، سرمایه‌گذاری، حقوقی یا مالیاتی تلقی نمی‌شود. هرگونه رویداد، جایزه، کمپین آنلاین یا اطلاعات مرتبط که در اینجا ذکر شده است، نباید به‌عنوان توصیه، ترغیب یا دعوت به خرید، فروش، معامله یا هرگونه دادوستد دیگر دارایی‌های رمزارزی تلقی شود. دارایی‌های رمزارزی از نوسان بالایی برخوردار هستند و ممکن است منجر به زیان شوند. دسترسی به خدمات، محصولات و رویدادهای مرتبط با WEEX ممکن است بسته به منطقه جغرافیایی متفاوت باشد. اطمینان از اینکه استفاده شما از این خدمات با قوانین و مقررات محلی مطابقت دارد، بر عهده خود شماست.