韓国のメモリーチップメーカーSK Hynix Inc.は、54兆ウォン(380億ドル)の生産能力拡張プログラムを発表しました。この投資は、製品の生産量を倍増し、世界的なメモリーチップの不足を克服することを目的としています。同社は、ヨンインに新しいDRAMメモリ工場を建設し、チョンジュにNANDフラッシュメモリの製造施設を設立します。新しいヨンインY2工場は、ヨンイン半導体クラスターに計画されている4つの施設のうちの2番目となります。建設は来年の7月に始まり、次世代の高帯域幅メモリ(HBM)およびその他のDRAMのための最初のクリーンルームの稼働は2029年6月を予定しています。チョンジュM17工場の拡張は2月に始まり、2028年末にクリーンルームが稼働します。全体の投資期間は2031年4月までを見込んでいます。韓国は今後5年間で国内のメモリ生産能力を倍増する計画です。ソウル証券取引所でのSK Hynixの株価は4.9%下落しましたが、第3四半期の株主への資本還元計画に関する報道を受けて部分的に回復しました。また、同社は2026年の資本支出に310億ドルを投資する予定で、これは昨年の投資を50%上回ります。
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