Samsung Electronics envisage de convertir la ligne 2 NRD-K de Giheung en fonderie

Samsung Electronics envisage de convertir la ligne 2 NRD-K de Giheung en une ligne de production de fonderie. Le produit cible est le die de base HBM de 2 nanomètres d'NVIDIA. Cette ligne devrait être opérationnelle d'ici la seconde moitié de 2028 et pourrait fonctionner selon le mode 'Send-Fab'. Le NRD-K est un complexe de recherche et développement de semiconducteurs de nouvelle génération que Samsung construit sur le campus de Giheung, avec un investissement total d'environ 20 trillions de wons. Cette révision vise à réaffecter certaines installations de recherche et développement pour répondre à la demande de fonderie pour les semiconducteurs AI. Le die de base HBM est une puce logique qui empile verticalement la DRAM pour échanger des données avec des processeurs externes, et le rôle des processus de fonderie augmente après HBM4. Samsung prévoit d'appliquer le processus de 2 nanomètres aux HBM personnalisés et HBM5. La part des processus de die de base et des technologies d'emballage augmente dans la compétition HBM de nouvelle génération. La conversion de la ligne 2 NRD-K est encore à l'étape d'examen à moyen et long terme, et l'utilisation finale pourrait varier en fonction des conditions du marché. La capacité de production de DRAM sera concentrée sur le campus de Pyeongtaek.

Ce contenu est fourni à titre informatif uniquement et ne constitue pas un conseil financier, d'investissement, juridique ou fiscal. Les événements, récompenses, promotions en ligne ou informations mentionnées ici ne doivent pas être considérés comme une recommandation, une sollicitation ou une invitation à acheter, vendre, trader ou effectuer toute autre opération sur des actifs crypto. Les actifs crypto sont très volatils et peuvent entraîner des pertes. La disponibilité des services, produits et événements liés à WEEX peut varier selon les régions. Veuillez vous assurer que votre participation respecte les lois et réglementations locales applicables.